목차

    3주차 범위

    Chapter 06: 메모리와 캐시메모리
    Chapter 07: 보조기억장치
    Chapter 08: 입출력장치

     

    벌써 책기준으로는 진도를 반정도 나갔네요

    남은주차도 화이팅


    학습 내용 정리

    Chapter 06: 메모리와 캐시메모리

     

    RAM 의 특징

    - 휘발성 메모리: 전원을 끄면 저장된 내용이 사라짐

     

    반대로 비휘발성 메모리로는 ROM, 하드디스크, SSD 등이 있음

     

    RAM 종류

    DRAM: Dynamic RAM

    • 저장된 데이터가 동적으로 변하는 RAM
    • 데이터의 소멸을 막기 위해 일정주기로 데이터를 재활성화
    • 소비 전력 낮음, 집적도가 높음 -> 대용량으로 설계 용이

     

    SRAM: Static RAM

    • 시간이 지나도 저장된 데이터가 사라지지 않음
    • 집적도 낮음, 소비 전력 높음
      DRAM SRAM
    재충전 필요 필요 X
    속도 상대적으로 느림 빠름
    가격 저렴함 비쌈
    집적도 높음 낮음
    소비전력 낮음 높음
    용도 주기억장치 캐시 메모리

     

    SDRAM: 클럭신호와 동기화된 DRAM

    DDR SDRAM: 대역폭을 넓혀 속도가 빠른 SDRAM

     

    물리 주소: 하드웨어가 사용하는 주소

    논리 주소: CPU와 프로그램이 사용하는 주소

     

    논리 - 물리 주소 간 변환:

    • MMU(메모리관리 장치) 에 의해 수행
    • 논리 주소 + 베이스 레지스터 값을 더하여 물리 주소로 변환

     

    배이스 레지스터: 프로그램의 첫 물리 주소를 저장한 레지스터

     

    한계 레지스터

    • 프로그램의 논리 주소 범위를 벗어나는 명령어 실행을 방지, 다른 프로그램에 영향을 받지 않도록 보호
    • 논리 주소의 최대 크기를 저장 후 접근 하고자 하는 논리 주소가 한계 주소보다 작은 지 검사

    논리 주소 -> 물리 주소 변환 과정

    한계레지스터 논리주소 비교는 >= 인지 > 인지 모르겠네요...

     

    저장 장치 계층 구조: CPU가 메모리에 빠르게 접근 할 수 있도록 분류

     

    상단에서 부터 레지스터 -> 캐시 메모리 -> 메모리 -> 보조기억장치 

    구조도의 상단에 있을수록 속도가 빠르고 용량이 작음

     

    캐시 메모리: CPU의 연산 속도와 메모리 접근 속도의 차이를 줄임

    캐시 적중률: 캐시가 히트 되는 비율

     

    캐시 적중률 공식

    캐시 히트 횟수 / (캐시 히트 횟수 + 캐시 미스 횟수)

     


    Chapter 07: 보조기억장치

     

    하드 디스크 구성 요소

    플래터: 하드디스크에서 실제로 데이터가 저장

    스핀들: 플래터를 회전시키는 요소

    헤드: 플래터를 대상으로 데이터를 읽고 쓰는 요소

     

    플래터의 구성 요소

    트랙: 플래터를 동심원으로 나누었을 때 하나의 

    섹터: 하드 디스크의 가장 작은 전송 단위

    실린더: 같은 트랙이 위치한 곳을 연결한 논리적 단위

     

    하드 디스크가 데이터 접근 시간

    • 탐색 시간: 데이터가 저장된 트랙까지 헤드 이동 시키는 시간
    • 회전 지연: 헤드가 있는 곳으로 플래터를 회전 시키는 시간
    • 전송 시간: 하드 디스크와 컴퓨터 간의 데이터를 전송 하는 시간

    플래시 메모리의 종류

    • SLC: 한 셀로 2개의 정보 표현
    • MLC: 한 셀로 4개의 정보 표현
    • TLC: 한 셀로 8개의 정보 표현
    구분 SLC MLC TLC
    셀당 bit 1 2 3
    수명 길다 보통  짧다
    읽기/쓰기 속도 빠르다 보통  느리다

     

    참조

    https://news.skhynix.co.kr/post/data-in-nand-flash-memory

     

    [궁금한 반도체 WHY] 낸드플래시 메모리의 데이터 저장방식, 어떻게 다를까? SLC/MLC/TLC/QLC

    우리가 사용하는 메모리카드, USB, SSD 등의 저장매체에는 낸드플래시(NAND Flash) 메모리가 사용됩니다

    news.skhynix.co.kr

     

    RAID: 여러개의 물리적 보조기억장치를 하나의 논리적 보조기억장치로 사용 하는 기술

    RAID 의 종류 (하단 심화과제 참조)

    더보기
    종류 설명
    레벨 0 스트라이핑 (하나의 데이터를 여러 디스크에 분산 저장)
    레벨 1 디스크 미러링 (데이터를 다른 디스크에 복사하여 복사본 유지)
    레벨 2 해밍코드 등을 이용하여 에러 검출 능력 없는 드라이브에 오류청정 능력 제공
    레벨 3 비트 단위로 데이터 저장, 한 드라이브에는 패리티 정보 저장
    레벨 4 블록 단위로 데이터 저장, 한 드라이브에는 패리티 정보 저장
    레벨 5 패리티 정보를 모든 드라이브에 분산 기록

     

    Chapter 08: 입출력장치

     

    장치 컨트롤러의 구조

    • 데이터 레지스터
    • 상태 레지스터 
    • 제어 레지스터

     

    입출력 방법

    • 프로그래 입출력
    • 인터럽트 기반 입출력
    • DMA 입출력: CPU를 거치지 않고도 입출력장치, 메모리가 상호 작용

     

    입출력 방법 종류

    • 메모리 맵 입출력: 메모리 주소 공간과 입출력 주소 공간을 하나로 간주
    • 고립형 입출력: 메모리 주소 공간과 입출력장치 주소 공간을 분리

     

    사이클 스틸링: DMA의 시스템버스 이용


    과제

    기본 과제 : p.185 3번 문제
                     p.205 1번 문제

     

    p.185 3 .설명에 맞는 보기를 고르시오

    SRAM, DRAM

     

    • 주로 캐시 메모리로 사용됨 : (1)
    • 주로 주기억장치로 사용됨: (2)
    • 대용량화 유리: (3)
    • 집적도 낮음: (4)

    답:

    (1): SRAM

    (2): DRAM

    (3): DRAM

    (4) SRAM 

     

    p.205 1 .저장장치 계층 구조도를 채우시오

    답:

    레지스터, 캐시 메모리, 메모리, 보조기억장치

     

    심화 과제 : RAID 의 정의와 종류

     

    RAID: 여러 개의 하드 디스크에 중복 데이터를 나누어 저장해 디스크가 고장나더라도 해당 디스크를 교체하면 원래의 데이터가 복원되는 신뢰성 높은 저장 장치

     

    RAID 종류

    종류 설명
    레벨 0 스트라이핑 (하나의 데이터를 여러 디스크에 분산 저장)
    레벨 1 디스크 미러링 (데이터를 다른 디스크에 복사하여 복사본 유지)
    레벨 2 해밍코드 등을 이용하여 에러 검출 능력 없는 드라이브에 오류청정 능력 제공
    레벨 3 비트 단위로 데이터 저장, 한 드라이브에는 패리티 정보 저장
    레벨 4 블록 단위로 데이터 저장, 한 드라이브에는 패리티 정보 저장
    레벨 5 패리티 정보를 모든 드라이브에 분산 기록

     

    출처: 정보통신기술용어해설

    http://www.ktword.co.kr/test/view/view.php?nav=2&no=863&sh=RAID

     

    RAID

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    www.ktword.co.kr

     

     

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